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資料名：
巻： 52 号： 11,Issue 1 ページ： 110120.1-110120.6 発行年： 2013年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201302286458936701
整理番号：13A1936935
エピタキシャル成長したIII-V族半導体合金中の組成変調の構造解析
Structure Analysis of Composition Modulation in Epitaxially-Grown III-V Semiconductor Alloys
ISHIMARU Manabu
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HASEGAWA Shigehiko
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAHI Hajime
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SATO Kazuhisa
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KONNO Toyohiko J.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 11,Issue 1 ページ： 110120.1-110120.6 発行年： 2013年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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