文献
J-GLOBAL ID:201302290080282276
整理番号:13A1323545
Al2O3/AlリッチなAl2O3/SiO2積層膜の電荷捕獲特性の熱的アニールによる改善
Improvement of charge trapping characteristics of Al2O3/Al-rich Al2O3/SiO2 stacked films by thermal annealing
著者 (5件):
NAKATA Shunji
(NTT Microsystem Integration Laboratories, Atsugi 243-0198, JPN)
,
KATO Takashi
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa 920-1192, JPN)
,
OZAKI Shinya
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa 920-1192, JPN)
,
KAWAE Takeshi
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa 920-1192, JPN)
,
MORIMOTO Akiharu
(Graduate School of Natural Sci. and Technol., Kanazawa Univ., Kanazawa 920-1192, JPN)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
542
ページ:
242-245
発行年:
2013年09月02日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)