Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (8件)：
資料名：
巻： 34 号： 10 ページ： 1286-1288 発行年： 2013年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201302291948019484
整理番号：13A1682578
高k/金属のゲートスタックを有するMOSFET用の低温マイクロ波アニーリング
Low-Temperature Microwave Annealing for MOSFETs With High-k/Metal Gate Stacks
LEE Yao-Jen
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
TSAI Bo-An
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LAI Chiung-Hui
(Chung Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Zheng-Yao
(Chung Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HSUEH Fu-Kuo
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
SUNG Po-Jung
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
CURRENT Michael I.
(Current Scientific, CA, USA)
,
LUO Chih-Wei
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 34 号： 10 ページ： 1286-1288 発行年： 2013年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。