文献
J-GLOBAL ID:201402202266170924
整理番号:14A0511836
内部電圧増幅ができる強誘電体負容量ヘテロトンネル電界効果トランジスタ
Ferroelectric Negative Capacitance Hetero-Tunnel Field-Effect-Transistors with Internal Voltage Amplification
著者 (7件):
LEE M.H.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
LIN J.-C.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
WEI Y.-T.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN C.-W.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
TU W.-H.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
ZHUANG H.-K.
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
TANG M.
(PTEK Technol. Co., Ltd, Hsinchu, TWN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2013
ページ:
104-107
発行年:
2013年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)