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著者 (2件)：
資料名：
巻： 92 ページ： 5-11 発行年： 2014年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201402204586060488
整理番号：14A0118626
4H-SiC n-IGBTのデバイス設計評価-シミュレーションによる研究
Device design assessment of 4H-SiC n-IGBT - A simulation study
USMAN Muhammad
(Quaid-i-Azam Univ., Islamabad, PAK)
,
NAWAZ Muhammad
(ABB Corporate Res., Vaestera, SWE)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 92 ページ： 5-11 発行年： 2014年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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