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著者 (10件)：
資料名：
巻： 315 ページ： 142-145 発行年： 2013年11月15日
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201402210263284484
整理番号：14A0657045
非晶質Si3N4膜におけるイオン軌跡形成に対する表面効果
Surface effect on ion track formation in amorphous Si3N4 films
MORITA Y.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NAKAJIMA K.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUZUKI M.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NARUMI K.
(Japan Atomic Energy Agency, Gumma, JPN)
,
SAITOH Y.
(Japan Atomic Energy Agency, Gumma, JPN)
,
ISHIKAWA N.
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
,
HOJOU K.
(Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN)
,
TSUJIMOTO M.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ISODA S.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMURA K.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 315 ページ： 142-145 発行年： 2013年11月15日
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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