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資料名：
巻： 114 号： 88(SDM2014 43-61) ページ： 27-30 発行年： 2014年06月12日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201402216736908586
整理番号：14A0891246
Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成
Efficient Activation of As+ Ion implantation into Ge substrate for Formation of Low-Resistive Shallow Junction
浜田慎也
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
村上秀樹
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
小野貫寛
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
橋本邦明
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
大田晃生
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
大田晃生
(名古屋大 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)
,
花房宏明
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
東清一郎
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
宮崎誠一
(名古屋大 大学院工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114 号： 88(SDM2014 43-61) ページ： 27-30 発行年： 2014年06月12日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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