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資料名：
巻： 114 号： 13(ICD2014 1-18) ページ： 77-82 発行年： 2014年04月10日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201402222812579570
整理番号：14A0682497
10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術
Multigate FinFET Device and Circuit Technology for 10nm and Beyond
昌原明植
(産業技術総合研)
,
遠藤和彦
(産業技術総合研)
,
大内真一
(産業技術総合研)
,
松川貴
(産業技術総合研)
,
LIU Youngxun
(産業技術総合研)
,
右田真司
(産業技術総合研)
,
水林亘
(産業技術総合研)
,
森田行則
(産業技術総合研)
,
太田裕之
(産業技術総合研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114 号： 13(ICD2014 1-18) ページ： 77-82 発行年： 2014年04月10日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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