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資料名：
巻： 32 号： 3 ページ： 03D108-03D108-6 発行年： 2014年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201402223230199052
整理番号：14A0622721
電子ビーム誘起配向選択エピタクシーによるSi(100)基板上のCeO2(100)及び(110)の高度分離ハイブリッド方位構造
Highly separated hybrid orientation structure of CeO2(100) and (110) on Si(100) substrates by electron beam-induced orientation-selective epitaxy
INOUE Tomoyasu
(Iwaki Meisei Univ., 5-5-1 Chuodai Iino, Iwaki 970-8551, JPN)
,
SHIDA Shigenari
(Iwaki Meisei Univ., 5-5-1 Chuodai Iino, Iwaki 970-8551, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 32 号： 3 ページ： 03D108-03D108-6 発行年： 2014年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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