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文献
J-GLOBAL ID:201402227400789920   整理番号:14A1041154

超高次非線形誘電顕微鏡観察を用いたSiCパワー二重拡散金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの横断面ドーパントプロフィルと空乏層の可視化

Cross-sectional dopant profiling and depletion layer visualization of SiC power double diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor using super-higher-order nonlinear dielectric microscopy
著者 (3件):
CHINONE N.
(Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
NAKAMURA T.
(ROHM Co., Ltd., 21 Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto 615-8585, JPN)
CHO Y.
(Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 116  号:ページ: 084509-084509-7  発行年: 2014年08月28日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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