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文献
J-GLOBAL ID:201402230317417346   整理番号:14A0426434

スパッタリング法で堆積したAlドープCeO2膜の酸素導入効果

EFFECT OF O2 INTRODUCTION PROPERTY OF Al DOPED CeO2 FILMS DEPOSITED BY SPUTTERING METHOD
著者 (8件):
HARA K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
OKAZAKI T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
NOTANI Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
OSAWA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
HIBINO K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
SUZUKI S.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
ISHIBASHI K.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
YAMAMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)

資料名:
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)

号: 32  ページ: 46-51  発行年: 2014年03月 
JST資料番号: L0263A  ISSN: 0914-2908  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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