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資料名：
巻： 47 号： 39 ページ： 394001,1-13 発行年： 2014年10月01日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201402235639273988
整理番号：14A1234363
領域選択成長によるSi基板上へのIII-Vナノワイヤトランジスタの集積化の最近の進展
Recent progress in integration of III-V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth
TOMIOKA Katsuhiro
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TOMIOKA Katsuhiro
(JST-PRESTO, Saitama, JPN)
,
FUKUI Takashi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 47 号： 39 ページ： 394001,1-13 発行年： 2014年10月01日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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