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資料名：
巻： 53 号： 3 ページ： 031501.1-031501.9 発行年： 2014年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201402236638703942
整理番号：14A0509153
O(1D2)と,O(3P2)ラジカルに曝したシリコンの酸化特性とO(1D2)ラジカルの応力-緩和酸化モデル
Oxidation characteristics of silicon exposed to O(1D2) and O(3P2) radicals and stress-relaxation oxidation model for O(1D2) radicals
KABE Yoshiro
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
KABE Yoshiro
(Tokyo Electron Yamanashi Ltd., Yamanashi, JPN)
,
HASUNUMA Ryu
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
YAMABE Kikuo
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 3 ページ： 031501.1-031501.9 発行年： 2014年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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