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資料名：
巻： 53 号： 10 ページ： 100202.1-100202.11 発行年： 2014年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201402242216008761
整理番号：14A1471183
InGaNとInNのエピタキシャル成長に関する理論的なアプローチの進歩:Inの取り込み効率と構造安定性
Progress in theoretical approach to InGaN and InN epitaxy: In incorporation efficiency and structural stability
KANGAWA Yoshihiro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ITO Tomonori
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
KOUKITU Akinori
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KAKIMOTO Koichi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 10 ページ： 100202.1-100202.11 発行年： 2014年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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