文献
J-GLOBAL ID:201402254005536948
整理番号:14A0268107
fMAX/fT>635/420GHzを示す均一ベースInP/GaInAsSb DHBT
Uniform-Base InP/GaInAsSb DHBTs Exhibiting fMAX/fT>635/420GHz
著者 (5件):
FLUECKIGER Ralf
(ETH-Zurich, Zurich, CHE)
,
LOEVBLOM Rickard
(ETH-Zurich, Zurich, CHE)
,
ALEXANDROVA Maria
(ETH-Zurich, Zurich, CHE)
,
OSTINELLI Olivier
(ETH-Zurich, Zurich, CHE)
,
BOLOGNESI C.R.
(ETH-Zurich, Zurich, CHE)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
35
号:
2
ページ:
166-168
発行年:
2014年02月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)