文献
J-GLOBAL ID:201402256059341274
整理番号:14A1471195
スイッチングと高周波素子への応用を目指してSi上に構築したGaNトランジスター
GaN transistors on Si for switching and high-frequency applications
著者 (5件):
UEDA Tetsuzo
(Panasonic Corp., Osaka, JPN)
,
UEDA Tetsuzo
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
ISHIDA Masahiro
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
TANAKA Tsuyoshi
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
UEDA Daisuke
(Panasonic Corp., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
53
号:
10
ページ:
100214.1-100214.8
発行年:
2014年10月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)