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資料名：
巻： 53 号： 10 ページ： 100212.1-100212.10 発行年： 2014年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201402275812370708
整理番号：14A1471193
サブミリ波への応用を目指したGaNを基本とする高電子移動度トランジスター
GaN high electron mobility transistors for sub-millimeter wave applications
LEE Dong Seup
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
LIU Zhihong
(Singapore-MIT Alliance for Res. and Technol., Singapore)
,
PALACIOS Tomas
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 10 ページ： 100212.1-100212.10 発行年： 2014年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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