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J-GLOBAL ID：201402285293599773 整理番号：14A0630833

不動態化Si(001)表面に成長させたαセキシチオフェン超薄膜の電子構造

Electronic structure of α-sexithiophene ultrathin films grown on passivated Si(001) surfaces

著者 (8件)：

HIRAGA K.

(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)

,

TOYOSHIMA H.

(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)

,

TANAKA H.

(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)

,

INOUE K.

(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)

,

OHNO S.

(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)

,

MUKAI K.

(The Inst. for Solid State Physics, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)

,

YOSHINOBU J.

(The Inst. for Solid State Physics, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)

,

TANAKA M.

(Fac. of Engineering, Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama 240-8501, JPN)

資料名：

Applied Surface Science (Applied Surface Science)

巻： 307 ページ： 520-524 発行年： 2014年07月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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