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資料名：
巻： 53 号： 1 ページ： 016502.1-016502.7 発行年： 2014年01月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201402286363493273
整理番号：14A0425912
塩化水素ガスによる珪素エッチングにおける負荷効果の起源とエッチング制限過程
Etching-limiting process and origin of loading effects in silicon etching with hydrogen chloride gas
MORIOKA Naoya
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 1 ページ： 016502.1-016502.7 発行年： 2014年01月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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