文献
J-GLOBAL ID:201402291905395684
整理番号:14A0564297
多量にスズをドープしたSi結晶のCzochralski成長
Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals
著者 (7件):
YONENAGA I.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980 8577, JPN)
,
TAISHI T.
(Fac. of Engineering, Shinshu Univ., Nagano 380 8553, JPN)
,
INOUE K.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980 8577, JPN)
,
GOTOH R.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980 8577, JPN)
,
KUTSUKAKE K.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980 8577, JPN)
,
TOKUMOTO Y.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980 8577, JPN)
,
OHNO Y.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980 8577, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
395
ページ:
94-97
発行年:
2014年06月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)