文献
J-GLOBAL ID:201402296034569337
整理番号:14A0575678
炭素注入した4H-SiC p-i-nダイオードの開回路電圧減衰特性
Open circuit voltage decay characteristics of 4H-SiC p-i-n diode with carbon implantation
著者 (5件):
TANAKA Atsushi
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
,
NAKAYAMA Koji
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
,
ASANO Katsunori
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
,
MIYAZAWA Tetsuya
(Central Res. Inst. Electric Power Ind., Kanagawa, JPN)
,
TSUCHIDA Hidekazu
(Central Res. Inst. Electric Power Ind., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
53
号:
4S
ページ:
04EP08.1-04EP08.4
発行年:
2014年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)