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文献
J-GLOBAL ID:201402296034569337   整理番号:14A0575678

炭素注入した4H-SiC p-i-nダイオードの開回路電圧減衰特性

Open circuit voltage decay characteristics of 4H-SiC p-i-n diode with carbon implantation
著者 (5件):
TANAKA Atsushi
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
NAKAYAMA Koji
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
ASANO Katsunori
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
MIYAZAWA Tetsuya
(Central Res. Inst. Electric Power Ind., Kanagawa, JPN)
TSUCHIDA Hidekazu
(Central Res. Inst. Electric Power Ind., Kanagawa, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 53  号: 4S  ページ: 04EP08.1-04EP08.4  発行年: 2014年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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