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著者 (10件)：
資料名：
巻： 53 号： 7 ページ： 078004.1-078004.3 発行年： 2014年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201402298287631104
整理番号：14A0984379
電子ビーム誘導電流法によるSi(001)基板上の無添加n-BaSi2エピタキシャル薄膜の少数キャリア拡散長の評価
Evaluation of minority carrier diffusion length of undoped n-BaSi2 epitaxial thin films on Si(001) substrates by electron-beam-induced-current technique
BABA Masakazu
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
WATANABE Kentaro
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
WATANABE Kentaro
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
HARA Kosuke O.
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TOKO Kaoru
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SEKIGUCHI Takashi
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
USAMI Noritaka
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
USAMI Noritaka
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53 号： 7 ページ： 078004.1-078004.3 発行年： 2014年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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