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著者 (2件)：
資料名：
巻： 425 ページ： 102-105 発行年： 2015年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201502204018655114
整理番号：15A0859559
サブバンド間遷移素子に向けたInGaAs/AlAs/InAlAs結合二重量子井戸の結晶品質
Crystal quality of InGaAs/AlAs/InAlAs coupled double quantum wells for intersubband transition devices
GOZU Shin-ichiro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 205-8568, JPN)
,
MOZUME Teruo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 205-8568, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 425 ページ： 102-105 発行年： 2015年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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