文献
J-GLOBAL ID:201502205916593139
整理番号:15A0518618
25nm InP高電子移動度トランジスタプロセスを使用した1THzにおける増幅の初めての実証
First Demonstration of Amplification at 1THz Using 25-nm InP High Electron Mobility Transistor Process
著者 (12件):
MEI Xiaobing
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
YOSHIDA Wayne
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LANGE Mike
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LEE Jane
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
ZHOU Joe
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LIU Po-Hsin
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LEONG Kevin
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
ZAMORA Alex
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
PADILLA Jose
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
SARKOZY Stephen
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
LAI Richard
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
,
DEAL William R.
(Northrop Grumman Corp., CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
36
号:
4
ページ:
327-329
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)