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著者 (5件)：
資料名：
巻： 430 ページ： 14-20 発行年： 2015年11月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201502207485677520
整理番号：15A1088803
AP-MOVPEによって成長したGaInNAs不均質層における歪み緩和の異方性
Anisotropy of strain relaxation in heterogeneous GaInNAs layers grown by AP-MOVPE
GELCZUK L.
(Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL)
,
PUCICKI D.
(Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL)
,
SERAFINCZUK J.
(Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL)
,
DABROWSKA-SZATA M.
(Fac. of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw Univ. of Technol., Janiszewskiego 11/17 50-372 Wroclaw, POL)
,
DLUZEWSKI P.
(Inst. of Physics, Polish Acad. of Sci., Al. Lotnikow 32/46, Warsaw 02-668, POL)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 430 ページ： 14-20 発行年： 2015年11月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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