文献
J-GLOBAL ID:201502208465812362
整理番号:15A0904344
準一次元半導体In4Se3の高分解能角度分解光電子研究
High-Resolution Angle-Resolved Photoemission Study of Quasi-One-Dimensional Semiconductor In4Se3
著者 (7件):
FUKUTANI Keisuke
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MIYATA Yasunari
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MATSUZAKI Idea
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
GALIY Pavlo V.
(I. Franko Lviv National Univ., Lviv, UKR)
,
DOWBEN Peter A.
(Univ. Nebraska-Lincoln, NE, USA)
,
SATO Takafumi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAKAHASHI Takashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Journal of the Physical Society of Japan
(Journal of the Physical Society of Japan)
巻:
84
号:
7
ページ:
074710.1-074710.6
発行年:
2015年07月15日
JST資料番号:
G0509A
ISSN:
0031-9015
CODEN:
JUPSA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)