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資料名：
巻： 11 号： 13 ページ： 1542-1547 発行年： 2015年04月
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201502208861089036
整理番号：15A0485743
イオンビームスパッタリング堆積を利用した銅箔上の少数層六方晶窒化ほう素の成長制御
Controlled Growth of Few-Layer Hexagonal Boron Nitride on Copper Foils Using Ion Beam Sputtering Deposition
WANG Haolin
(Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN)
,
ZHANG Xingwang
,
MENG Junhua
,
YIN Zhigang
,
LIU Xin
,
ZHAO Yajuan
,
ZHANG Liuqi
資料名：
Small
(Small)
巻： 11 号： 13 ページ： 1542-1547 発行年： 2015年04月
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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