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資料名：
巻： 8 号： 9 ページ： 091301.1-091301.3 発行年： 2015年09月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201502210611738581
整理番号：15A1202654
微傾斜偏角4H-SiC基板上に成長させた3C-SiCを用いた水素発生用の光電陰極
Photocathode for hydrogen generation using 3C-SiC epilayer grown on vicinal off-angle 4H-SiC substrate
ICHIKAWA Naoto
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
KATO Masashi
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
ICHIMURA Masaya
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 8 号： 9 ページ： 091301.1-091301.3 発行年： 2015年09月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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