文献
J-GLOBAL ID:201502214652540015
整理番号:15A1256356
DRAMキャパシタ形成のための高アスペクト比コンタクト(HARC)エッチングにおける課題
Challenges in High Aspect Ratio Contact (HARC) Etching for DRAM Capacitor Formation
著者 (6件):
KIM Yongjin
(SK hynix, Gyeonggi-do, KOR)
,
LEE Sangdo
(SK hynix, Gyeonggi-do, KOR)
,
JUNG Taewoo
(SK hynix, Gyeonggi-do, KOR)
,
LEE Byungseok
(SK hynix, Gyeonggi-do, KOR)
,
KWAK Nohjung
(SK hynix, Gyeonggi-do, KOR)
,
PARK Sungki
(SK hynix, Gyeonggi-do, KOR)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
9428
ページ:
942806.1-942806.6
発行年:
2015年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)