文献
J-GLOBAL ID:201502214809289508
整理番号:15A1107046
ショットキー接合および先端接合型ペンタセン薄膜トランジスタ用の接触面積制限ドーピングの実験的および数値的研究
Experimental and numerical investigation of contact-area-limited doping for top-contact pentacene thin-film transistors with Schottky contact
著者 (3件):
NODA Kei
(Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa 223-8522 ...)
,
WADA Yasuo
,
TOYABE Toru
資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻:
17
号:
40
ページ:
26535-26540
発行年:
2015年10月28日
JST資料番号:
A0271C
ISSN:
1463-9076
CODEN:
PPCPFQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)