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資料名：
巻： 115 号： 179(CPM2015 31-45) ページ： 51-55 発行年： 2015年08月03日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201502216082138989
整理番号：15A1103734
SOI基板上への高密度Geナノドットの形成-フォトニック結晶による発光効率改善を目指して-
Formation of high density Ge-nanodots on SOI substrates-Aiming at enhancement of emission from Ge-nanodots using photonic crystal-
森岡真
(長岡技科大)
,
渡邊航大
(長岡技科大)
,
冨田政隆
(長岡技科大)
,
豊田英之
(長岡技科大)
,
加藤有行
(長岡技科大)
,
玉山泰宏
(長岡技科大)
,
上林利生
(長岡技科大)
,
安井寛治
(長岡技科大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115 号： 179(CPM2015 31-45) ページ： 51-55 発行年： 2015年08月03日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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