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J-GLOBAL ID:201502217723772167   整理番号:15A1288691

極性磁性半導体GaV4S8における閉じ込められた配向のNeel型スキルミオン格子

Neel-type skyrmion lattice with confined orientation in the polar magnetic semiconductor GaV4S8
著者 (17件):
KEZSMARKI I.
(Budapest Univ. Technol. and Economics, Budapest, HUN)
KEZSMARKI I.
(Univ. Augsburg, Augsburg, DEU)
BORDACS S.
(Budapest Univ. Technol. and Economics, Budapest, HUN)
MILDE P.
(TU Dresden, Dresden, DEU)
NEUBER E.
(TU Dresden, Dresden, DEU)
ENG L.M.
(TU Dresden, Dresden, DEU)
WHITE J.S.
(Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE)
RONNOW H.M.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
DEWHURST C.D.
(Inst. Laue-Langevin, Grenoble, FRA)
MOCHIZUKI M.
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
MOCHIZUKI M.
(JST-PRESTO, Saitama, JPN)
YANAI K.
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
NAKAMURA H.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
EHLERS D.
(Univ. Augsburg, Augsburg, DEU)
TSURKAN V.
(Univ. Augsburg, Augsburg, DEU)
TSURKAN V.
(Inst. Applied Physics, Acad. Sci. Moldova, Chisinau, MDA)
LOIDL A.
(Univ. Augsburg, Augsburg, DEU)

資料名:
Nature Materials  (Nature Materials)

巻: 14  号: 11  ページ: 1116-1122  発行年: 2015年11月 
JST資料番号: W1364A  ISSN: 1476-1122  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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