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J-GLOBAL ID：201502219651786704 整理番号：15A0698184

電界放出特性を改良するための正/負バイアスを使用した核形成増加と成長プロセスによるナノ結晶ダイヤモンド薄膜の構造改質

Structural modification of nanocrystalline diamond films via positive/negative bias enhanced nucleation and growth processes for improving their electron field emission properties

著者 (7件)：

SARAVANAN A.

(Graduate Inst. of Electro-Optical Engineering and Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and ...)

HUANG B. R.

(Graduate Inst. of Electro-Optical Engineering and Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and ...)

SANKARAN K. J.

(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan)

KEISER G.

(Graduate Inst. of Electro-Optical Engineering and Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and ...)

KURIAN J.

(Dep. of Physics, Tamkang Univ., Tamsui 251, Taiwan)

TAI N. H.

(Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan)

LIN I. N.

(Dep. of Physics, Tamkang Univ., Tamsui 251, Taiwan)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 117 号： 21 ページ： 215307-215307-11 発行年： 2015年06月07日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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