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文献
J-GLOBAL ID:201502219995983542   整理番号:15A0841886

窒素雰囲気中におけるパルスレーザー蒸着法によるサファイア(0001)基板上へのβ-AlN薄膜のヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial growth of β-AlN films on sapphire (0001) in nitrogen atmospheres by pulse laser deposition
著者 (8件):
YOSHIDA Tomohiro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
YOSHIDA Tomohiro
(Kurume National Coll. of Technol., Fukuoka, JPN)
UEDA Yutaro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
DAIO Takeshi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
TOMINAGA Aki
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
OKAJIMA Toshihiro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
OKAJIMA Toshihiro
(Kyushu Synchrotron Light Res. Center, Saga, JPN)
YOSHITAKE Tsuyoshi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 54  号: 6S1  ページ: 06FJ05.1-06FJ05.3  発行年: 2015年06月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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