文献
J-GLOBAL ID:201502220039479485
整理番号:15A0213118
a-Si:Hの放射欠陥における調製条件と再結合率
Preparation condition and recombination rates at radiative defects in a-Si:H
著者 (4件):
OGIHARA Chisato
(Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
,
SHINTOKU Yuta
(Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
,
YAMAGUCHI Kei
(Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
,
MORIGAKI Kazuo
(Hiroshima Inst. of Technol., Hiroshima, JPN)
資料名:
Canadian Journal of Physics
(Canadian Journal of Physics)
巻:
92
号:
7/8
ページ:
561-564
発行年:
2014年07月
JST資料番号:
B0229A
ISSN:
0008-4204
CODEN:
CJPHAD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
カナダ (CAN)
言語:
英語 (EN)