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著者 (5件)：
資料名：
巻： 2 号： 1 ページ： 127-152 (J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： U0612A ISSN： 2188-5303 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201502221511303260
整理番号：15A0744456
単原子層半導体FETにおける電子移動のシミュレーション
Simulation of Electron Transport in Atomic Monolayer Semiconductor FETs
TSUCHIYA Hideaki
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
,
TSUCHIYA Hideaki
(CREST, Japan Sci. and Technol. Agency)
,
KANEKO Shiro
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
,
MORI Noriyasu
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
,
HIRAI Hideki
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
資料名：
Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering (Web)
(Journal of Advanced Simulation in Science and Engineering (Web))
巻： 2 号： 1 ページ： 127-152 (J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： U0612A ISSN： 2188-5303 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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