文献
J-GLOBAL ID:201502246417042510
整理番号:15A0700922
Si上に成長した超薄CaF2/CdF2/Si多層ヘテロ構造を用いた単一及び二重障壁トンネルダイオード構造の分析
Analysis of single- and double-barrier tunneling diode structures using ultrathin CaF2/CdF2/Si multilayered heterostructures grown on Si
著者 (3件):
SUDA Keita
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KUWATA Yuya
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
WATANABE Masahiro
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
54
号:
4S
ページ:
04DJ05.1-04DJ05.4
発行年:
2015年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)