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文献
J-GLOBAL ID:201502249799332768   整理番号:15A0392341

中性子照射GaN中のDX様中心の補償機構

Compensation mechanism of DX-like center in neutron transmutation doped GaN
著者 (6件):
NAKAMURA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
KAMIOKA K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
KURIYAMA K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
KUSHIDA K.
(Osaka Kyoiku Univ., Osaka, JPN)
XU Q.
(Kyoto Univ., Osaka, JPN)
HASEGAWA M.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

資料名:
Solid State Communications  (Solid State Communications)

巻: 205  ページ: 1-3  発行年: 2015年02月23日 
JST資料番号: H0499A  ISSN: 0038-1098  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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