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文献
J-GLOBAL ID:201502251437112500   整理番号:15A0460621

二段階活性化におけるGaAs光電陰極の表面ポテンシャル障壁の変化

Change of the Surface potential Barrier of GaAs Photocathode during Two-step Activation
著者 (5件):
NIU Jun
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Jiangsu, CHN)
NIU Jun
(Nanyang Inst. Technol., Nanyang, CHN)
GAO Youtang
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Jiangsu, CHN)
QIAN Yunsheng
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Jiangsu, CHN)
CHANG Benkang
(Nanjing Univ. Sci. and Technol., Jiangsu, CHN)

資料名:
Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)

巻: 9284  ページ: 92840T.1-92840T.6  発行年: 2014年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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