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著者 (10件)：
資料名：
巻： 41 号： 2 ページ： 148-152 (J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： S0110B ISSN： 0386-216X CODEN： KKRBAW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201502253944070260
整理番号：15A0491599
非平衡プラズマジェットCVD法によるシリコン製膜時に装置内圧力が製膜速度,膜質におよぼす影響
Effect of Background Pressure on Deposition Rate and Crystallinity of Deposited Silicon in Non-Equilibrium Plasma Jet CVD
西田哲
(岐阜大学大学院工学研究科環境エネルギーシステム専攻)
,
西田哲
(岐阜大学未来型太陽光発電システム研究センター)
,
西田哲
(岐阜大学工学部機械工学科)
,
納土亮
(岐阜大学大学院工学研究科環境エネルギーシステム専攻)
,
牟田浩司
(岐阜大学大学院工学研究科環境エネルギーシステム専攻)
,
牟田浩司
(岐阜大学未来型太陽光発電システム研究センター)
,
牟田浩司
(岐阜大学工学部機械工学科)
,
栗林志頭眞
(岐阜大学大学院工学研究科環境エネルギーシステム専攻)
,
栗林志頭眞
(岐阜大学未来型太陽光発電システム研究センター)
,
栗林志頭眞
(岐阜大学工学部機械工学科)
資料名：
化学工学論文集
巻： 41 号： 2 ページ： 148-152 (J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： S0110B ISSN： 0386-216X CODEN： KKRBAW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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