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J-GLOBAL ID：201502256073336620 整理番号：15A0445146

デュアルゲートMoS₂/WSe₂ van der Waalsトンネルダイオード及びトランジスタ

Dual-Gated MoS₂/WSe₂ van der Waals Tunnel Diodes and Transistors

著者 (17件)：

ROY Tania

(Univ. California, California, USA)

,

ROY Tania

(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)

,

TOSUN Mahmut

(Univ. California, California, USA)

,

TOSUN Mahmut

(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)

,

CAO Xi

(Univ. Florida, Florida, USA)

,

FANG Hui

(Univ. California, California, USA)

,

FANG Hui

(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)

,

LIEN Der-Hsien

(Univ. California, California, USA)

,

LIEN Der-Hsien

(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)

,

LIEN Der-Hsien

(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)

,

ZHAO Peida

(Univ. California, California, USA)

,

ZHAO Peida

(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)

,

CHEN Yu-Ze

(Univ. California, California, USA)

,

CHUEH Yu-Lun

(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)

,

GUO Jing

(Univ. Florida, Florida, USA)

,

JAVEY Ali

(Univ. California, California, USA)

,

JAVEY Ali

(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)

資料名：

ACS Nano (ACS Nano)

巻： 9 号： 2 ページ： 2071-2079 発行年： 2015年02月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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