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著者 (8件)：
資料名：
巻： 54 号： 4 ページ： 046502.1-046502.4 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201502257366310010
整理番号：15A0671450
Arプラズマエッチングを利用した素子分離プロセスによるhigh-k/金属ゲートMoS2電界効果トランジスタの作製
Fabrication of high-k/metal-gate MoS2 field-effect transistor by device isolation process utilizing Ar-plasma etching
NINOMIYA Naruki
(Yokohama National Univ.(YNU), Yokohama, JPN)
,
MORI Takahiro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
UCHIDA Noriyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
WATANABE Eiichiro
(National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN)
,
TSUYA Daiju
(National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN)
,
MORIYAMA Satoshi
(National Inst. Materials Sci.(NIMS), Ibaraki, JPN)
,
TANAKA Masatoshi
(Yokohama National Univ.(YNU), Yokohama, JPN)
,
ANDO Atsushi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54 号： 4 ページ： 046502.1-046502.4 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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