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資料名：
巻： 114 号： 336(ED2014 73-97) ページ： 91-95 発行年： 2014年11月20日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201502260392482998
整理番号：15A0192709
AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響
Surface charging effects in AlGaN/GaN HEMTs induced by off-stress bias
西口賢弥
(北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ)
,
橋詰保
(北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114 号： 336(ED2014 73-97) ページ： 91-95 発行年： 2014年11月20日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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