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著者 (7件)：
資料名：
号： 33 ページ： 70-76 発行年： 2015年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201502271080245826
整理番号：15A0434657
余分にTEOSを導入したMOCVDにより蒸着したCeO2薄膜の結晶化特性
CRYSTALLIZATION PROPERTIES OF CeO2 THIN FILMS DEPOSITED BY MOCVD WITH ADDITIONAL TEOS INTRODUCTION
FURUYA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
SATO T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
MATSUMURA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
OKABE Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI S.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
,
ISHIBASHI K.
(Comet Inc., Ibaraki, JPN)
,
YAMAMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 33 ページ： 70-76 発行年： 2015年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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