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著者 (34件)：
資料名：
巻： 2014 ページ： 40-43 発行年： 2014年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201502283858346240
整理番号：15A0473104
600V JEDEC合格高信頼性GaN HEMTオンSi基板
600V JEDEC-Qualified Highly Reliable GaN HEMTs on Si Substrates
KIKKAWA Toshihide
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
HOSODA Tsutomu
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
IMANISHI Kenji
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
SHONO Ken
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
ITABASHI Kazuo
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
OGINO Tsutomu
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
MIYAZAKI Yasumori
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
MOCHIZUKI Akitoshi
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
KIUCHI Kenji
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
KANAMURA Masahito
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
KAMIYAMA Masamichi
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
AKIYAMA Shiniichi
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
KAWASAKI Susumu
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
MAEDA Takeshi
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
ASAI Yoshimori
(Transphorm Japan Inc., Aizu-Wakamatsu, JPN)
,
WU YiFeng
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
SMITH Kurt
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
GRITTERS John
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
SMITH Peter
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
CHOWDHURY Saurabh
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
DUNN Dixie
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
AGUILERA Martin
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
SWENSON Brian
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
BIRKHAHN Ron
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
MCCARTHY Lee
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
SHEN Likun
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
MCKAY Jim
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
CLEMENT Heber
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
HONEA Jim
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
YEA Sung
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
THOR Douglas
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
LAL Rakesh
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
MISHRA Umesh
(Transphorm Inc., CA, USA)
,
PARIKH Primit
(Transphorm Inc., CA, USA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2014 ページ： 40-43 発行年： 2014年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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