文献
J-GLOBAL ID:201502295218488292
整理番号:15A0458258
HfO2/SiO2/SiゲートスタックにおけるSiO2スカベンジング現象の定式化
Analytical formulation of interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks
著者 (5件):
LI Xiuyan
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YAJIMA Takeaki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NISHIMURA Tomonori
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAGASHIO Kosuke
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TORIUMI Akira
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
114
号:
421(SDM2014 135-146)
ページ:
1-4
発行年:
2015年01月20日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)