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著者 (6件)：
資料名：
巻： 108 号： 8 ページ： 083111-083111-5 発行年： 2016年02月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201602200345768870
整理番号：16A0387888
WSe2/SnSe2ヘテロ構造を用いた2D-2Dトンネル電界効果トランジスタ
2D-2D tunneling field-effect transistors using WSe2/SnSe2 heterostructures
ROY Tania
(Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA)
,
TOSUN Mahmut
(Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA)
,
HETTICK Mark
(Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA)
,
AHN Geun Ho
(Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA)
,
HU Chenming
(Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA)
,
JAVEY Ali
(Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California, Berkeley, California 94720, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 108 号： 8 ページ： 083111-083111-5 発行年： 2016年02月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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