文献
J-GLOBAL ID:201602205996530777
整理番号:16A0367995
六方晶窒化ホウ素は間接遷移型半導体である
Hexagonal boron nitride is an indirect bandgap semiconductor
著者 (3件):
CASSABOIS G.
(Univ. de Montpellier, Montpellier, FRA)
,
VALVIN P.
(Univ. de Montpellier, Montpellier, FRA)
,
GIL B.
(Univ. de Montpellier, Montpellier, FRA)
資料名:
Nature Photonics
(Nature Photonics)
巻:
10
号:
4
ページ:
262-266
発行年:
2016年04月
JST資料番号:
W2212A
ISSN:
1749-4885
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)