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文献
J-GLOBAL ID:201602211190482560   整理番号:16A0055909

シリコン上にエピタキシャル成長させたInAs/GaAs量子ドットレーザの信頼性

Reliability of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Epitaxially Grown on Silicon
著者 (6件):
LIU Alan Y.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
HERRICK Robert W.
(Intel Corp., CA, USA)
UEDA Osamu
(Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
PETROFF Pierre M.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
GOSSARD Arthur C.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
BOWERS John E.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)

資料名:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)

巻: 21  号:ページ: RONBUNNO.1900708  発行年: 2015年11月 
JST資料番号: W0734A  ISSN: 1077-260X  CODEN: IJSQEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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