文献
J-GLOBAL ID:201602211190482560
整理番号:16A0055909
シリコン上にエピタキシャル成長させたInAs/GaAs量子ドットレーザの信頼性
Reliability of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Epitaxially Grown on Silicon
著者 (6件):
LIU Alan Y.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
,
HERRICK Robert W.
(Intel Corp., CA, USA)
,
UEDA Osamu
(Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
PETROFF Pierre M.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
,
GOSSARD Arthur C.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
,
BOWERS John E.
(Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
資料名:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻:
21
号:
6
ページ:
RONBUNNO.1900708
発行年:
2015年11月
JST資料番号:
W0734A
ISSN:
1077-260X
CODEN:
IJSQEN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)