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文献
J-GLOBAL ID:201602215369855534   整理番号:16A0281680

Si(001)上の3C-SiCエピ膜形成および積層欠陥生成過程の断面TEM解析

著者 (4件):
山崎順
(阪大 電顕セ)
石田篤志
(名古屋大 工)
秋山賢輔
(神奈川県産技セ)
平林康男
(神奈川県産技セ)

資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))

巻: 63rd  ページ: ROMBUNNO.20P-H101-1  発行年: 2016年03月03日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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